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NSR01F30MXT5G

Schottky Barrier Diode

These Schottky barrier diodes are optimized for low forward voltage drop and low leakage current. Features • Very Low Forward Voltage Drop − 350 mV @ 10 mA • Low Reverse Current − 5 A @ 10 V • 100 mA of Continuous Forward Current • ESD Rating − Human Body Model: Class 3B ESD Rating − Machi

文件:138.65 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSR01F30MXT5G

Schottky Barrier Diode

文件:49.77 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSR01F30MXT5G

Package:0201(0603 公制);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2X3DFN

ONSEMI

安森美半导体

NSR0240P2T5G

ON
SOD-923

ON

NSR0240P2T5G

ON
SOD-923

ON

产品属性

  • 产品编号:

    NSR01F30MXT5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    100mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 不同 Vr、F 时电容:

    0.9pF @ 10V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    0201(0603 公制)

  • 供应商器件封装:

    2-X3DFN(0.6x0.3)(0201)

  • 工作温度 - 结:

    125°C(最大)

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2X3DFN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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DFN2
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更多NSR01F30MXT5G供应商 更新时间2025-10-3 15:06:00