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NSS35200CF8T1G

High Current Surface Mount PNP Silicon Low VCE-SAT Switching Transistor for Load Management in Portable Applications

文件:66.45 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS35200CF8T1G

35 V, 7 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:66.9 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS35200CF8T1G

High Efficiency DC-DC Converters

文件:1.9268 Mbytes 页数:20 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS35200CF8T1G_06

35 V, 7 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:66.9 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS35200CF8T1G

Low VCE(sat) Transistor, PNP, 35 V, 2.0 A

Low VCE(sat) Bipolar Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. • Very Low Saturation \n• High Current Switching 2A DC, 7A Peak\n• High Current Gain\n• High Cut Off Frequency\n• Low Profile Package\n• Linear Gain (Beta)\n• This is a Pb-Free Device;

ONSEMI

安森美半导体

NSS35200CF8T1G

Package:8-SMD,扁平引线;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 35V 2A CHIPFET

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NSS35200CF8T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 20mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1.5A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    ChipFET™

  • 描述:

    TRANS PNP 35V 2A CHIPFET

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更多NSS35200CF8T1G供应商 更新时间2025-10-11 16:50:00