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NSS35200CF8T1G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NSS35200CF8T1G |
| 参数属性 | NSS35200CF8T1G 封装/外壳为8-SMD，扁平引线；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 35V 2A CHIPFET |
| 功能描述 | 35 V, 7 A, Low VCE(sat) PNP Transistor |
| 封装外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 文件大小 |
66.9 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-13 14:31:00 |
| 人工找货 | NSS35200CF8T1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NSS35200CF8T1G规格书详情
NSS35200CF8T1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的NSS35200CF8T1G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号：
NSS35200CF8T1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 20mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1.5A，2V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
ChipFET™
- 描述：
TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
1923+ |
SOT23-8 |
90000 |
绝对进口原装现货库存特价销售 |
询价 | ||
ON |
24+/25+ |
1890 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SSOP-8 |
80000 |
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询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
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1206-8 |
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ON |
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ChipFET |
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询价 | ||
ON |
2025+ |
SOT23-8 |
5185 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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ON/安森美 |
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ON |
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SO-23 |
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询价 | ||
ON |
2023+ |
SOT23-8 |
8800 |
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