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NSS1C301ET4G

100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor

文件:83.56 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS1C301ET4G

100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor

文件:116.71 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS1C301ET4G

NPN Transistor

文件:77.2 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS1C301ET4G_14

100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor

文件:116.71 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS1C301ET4G_16

NPN Transistor

文件:77.2 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS1C301ET4G

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 100V 3A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NSS1C301ET4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 300mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    120MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 3A DPAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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ON/安森美
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TO252
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更多NSS1C301ET4G供应商 更新时间2025-10-10 13:46:00