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NSS20200LT1G

20 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:106.71 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS20200LT1G

20 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:135.73 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS20200LT1G

PNP Transistor

文件:135.4 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS20200LT1G

20 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:102.53 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS20200LT1G_07

20 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:106.71 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS20200LT1G_11

20 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:135.73 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS20200LT1G_16

PNP Transistor

文件:135.4 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS20200LT1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 20V 2A SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NSS20200LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    180mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 500mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PNP 20V 2A SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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SOT-23-3
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更多NSS20200LT1G供应商 更新时间2025-10-5 8:11:00