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NSBA124EF3T5G	文件：149.14 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 22 kOhm, R2 = 22 kOhm PNPTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsistingoftworesistors;a	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSBA124EF3T5G	文件：146.04 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 22 k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NSBA124EF3T5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-1123；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSBC124EF3T5G	文件：140.1 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSBC124EF3T5G	文件：140.56 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)R1=22k,R2=22k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NSBA124EF3T5G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-1123
供应商器件封装：
SOT-1123
描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123

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