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NSBC114EPDXV6T1G	文件：164.12 Kbytes Page：14 Pages	Dual Bias Resistor Transistors 文件：164.12 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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详细参数

型号：
NSBC114EPDXV6T1G
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	NSBC114EPDXV6T1G	ON/安森美	2019+	SOT563	36000	原盒原包装可BOM配套	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	NSBC114EPDXV6T1G	ON/安森美	22+	SOT563	23456	原装正品	询价
深圳市芯球通科技有限公司	NSBC114EPDXV6T1G	ON(安森美)	26+	SOT-563-6	12711	公司只做原装正品,假一赔十	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	NSBC114EPDXV6T1G	ON(安森美)	2511	SOT-563-6	8956	电子元器件采购降本 30%!公司原厂直采,砍掉中间差价	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	NSBC114EPDXV6T1G	ON/安森美	24+	SOT563	34772	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
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更多NSBC114EPDXV6T1G供应商更新时间2026-10-10 10:21:00

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