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NSBC124EF3T5G

Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 22 k

文件:140.56 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSBC124EF3T5G

Digital Transistors (BRT)

文件:140.1 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSBC124EF3T5G

Package:SOT-1123;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123

ONSEMI

安森美半导体

NSBA124EF3T5G

Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 22 k

文件:146.04 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSBA124EF3T5G

Digital Transistors (BRT) R1 = 22 kOhm, R2 = 22 kOhm

PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a

文件:149.14 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSBA124EF3T5G

Digital Transistors (BRT)

文件:182.71 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NSBC124EF3T5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 300µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-1123

  • 供应商器件封装:

    SOT-1123

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多NSBC124EF3T5G供应商 更新时间2025-10-4 23:00:00