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NSBC123TF3T5G

Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 =  k

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NSBC123TF3T5G

Digital Transistors (BRT)

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NSBC123TF3T5G

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:SOT-1123 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123

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NSBA123TF3T5G

DigitalTransistors(BRT)

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NSBA123TF3T5G

PNPTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork

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产品属性

  • 产品编号:

    NSBC123TF3T5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    160 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-1123

  • 供应商器件封装:

    SOT-1123

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多NSBC123TF3T5G供应商 更新时间2024-4-30 10:01:00