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NSBC124EDP6T5G	文件：155.89 Kbytes Page：8 Pages	Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 22 k, R2 = 22 k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSBA124EDP6T5G	文件：123.72 Kbytes Page：8 Pages	DualPNPBiasResistorTransistorsR1=22k,R2=22k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSBA124EDP6T5G	文件：102.55 Kbytes Page：6 Pages	DualDigitalTransistors(BRT) DualPNPBiasResistorTransistorsR1=10kΩ,R2=10kΩ PNPTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwitha	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 22 k, R2 = 22 k

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DualDigitalTransistors(BRT)

DualPNPBiasResistorTransistorsR1=10kΩ,R2=10kΩ PNPTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwitha

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详细参数

型号：
NSBC124EDP6T5G
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL NBRT
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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