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NSBC113EDXV6T1G	文件：145.21 Kbytes Page：6 Pages	Dual NPN Bias Resistor Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSBA113EDXV6T1G	文件：75.03 Kbytes Page：6 Pages	DualPNPBiasResistorTransistors DualPNPBiasResistorTransistorsR1=1kΩ,R2=1kΩ PNPTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwitham	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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DualPNPBiasResistorTransistors

DualPNPBiasResistorTransistorsR1=1kΩ,R2=1kΩ PNPTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwitham

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详细参数

型号：
NSBC113EDXV6T1G
功能描述：
TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列：
-
标准包装：
3,000
晶体管类型：
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 -
集电极(Ic)（最大）：
70mA，100mA 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
50V 电阻器 -
基极(R1)（欧）：
47k，2.2k 电阻器 -
发射极(R2)（欧）：
47k 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
70 @ 5mA，5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
300mV @ 500µA，10mA 电流 -
集电极截止（最大）：
- 频率 -
转换：
100MHz，200MHz 功率 -
最大：
250mW
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装：
PG-SOT363-6
包装：
带卷(TR)
其它名称：
SP000784046

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	NSBC113EDXV6T1G	onsemi(安森美)	24+	SOT-563	3727	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	NSBC113EDXV6T1G	onsemi	24+	SOT-563,SOT-666	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市纳立科技有限公司	NSBC113EDXV6T1G		三年内		1983	只做原装正品	询价
深圳市正纳电子有限公司	NSBC113EDXV6T1G	ON/安森美	23+	NA	252000	电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道	询价
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深圳市美思瑞电子科技有限公司	NSBC113EDXV6T1G	ON/安森美	22+	N/A	252000	现货,原厂原装假一罚十!	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	NSBC113EDXV6T1G	ON/安森美	22+	NA	35000	原装现货,假一罚十	询价
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深圳市亚泰盈科电子有限公司	NSBC113EDXV6T1G	onsemi	2025+	SOT-563-6	55740		询价

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