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NSBC114EPDP6T5G

Dual Digital Transistors (BRT)

文件:106.04 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSBC114EPDP6T5G

Complementary Bias Resistor Transistors

文件:99.83 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSCSSNN005PDUNV

Honeywell
SIP-4

Honeywell

霍尼韦尔

上传:中天科工半导体(深圳)有限公司

NSCSSNN030PAUNV

Honeywell
SIP-4

Honeywell

霍尼韦尔

上传:中天科工半导体(深圳)有限公司

NSF03A40-TE16L

NIHON
DO214AB

详细参数

  • 型号:

    NSBC114EPDP6T5G

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 SOT-963 COMP NBRT

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
24+
SOT-963
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2018+
12050
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ON/安森美
2022+
12050
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更多NSBC114EPDP6T5G供应商 更新时间2025-10-4 23:00:00