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NP88N04KHE	文件：306.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=88A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP88N04KHE	文件：227.48 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP88N04KHE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP88N04KUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP88N04MHE	文件：313.85 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP88N04MHE	文件：227.48 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP88N04MHE	文件：333.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=88A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP88N04MHE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP88N04NHE	文件：242.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=88A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP88N04NHE	文件：313.85 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
NP88N04DHE
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 88A I(D) | TO-262AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市近平电子有限公司	NP88N04DHE	NEC	6000	面议	19	TO-262	询价
深圳市赛芯源科技有限公司	NP88N04EHE	日本NEC	18+	TO-263	41200	原装正品,现货特价	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	NP88N04EHE	NEC	TO-263	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NP88N04EHE	NEC	23+	TO-263	33000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	NP88N04EHE	NEC	23+	TO-263	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	NP88N04EHE	NEC	22+	TO-263	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市鹏和科技有限公司	NP88N04KHE	N	24+	TO-263	5000	全现原装公司现货	询价
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更多NP88N04DHE供应商更新时间2025-5-22 15:30:00

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