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NP100N04NUJ.S18-AY	文件：223.75 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP100N04NUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)=3.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=50A) •LowCiss:Ciss=5600pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Highcurrentrating:ID	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NP100N04NUJ.S18-AY

文件：223.75 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP100N04NUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)=3.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=50A) •LowCiss:Ciss=5600pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Highcurrentrating:ID

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
NP100N04NUJ.S18-AY
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更多NP100N04NUJ.S18-AY供应商更新时间2025-6-24 14:01:00

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