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NP100N04NUJ.S18-AY	文件：223.75 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP100N04NUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Super low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 3.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) • Low Ciss: Ciss = 5600 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • High current rating: ID 文件：223.75 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP100P06PDG	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	NEC 瑞萨上传：深圳市胜彬电子有限公司	NEC
NP1216DR	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN2*2-6	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
NP2300MR-Y-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-3	NATLINEAR/南麟上传：深圳广友电子有限公司	NATLINEAR/南麟
NP2301AMR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23-3	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟

详细参数

型号：
NP100N04NUJ.S18-AY
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更多NP100N04NUJ.S18-AY供应商更新时间2025-12-12 17:15:00

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