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NP100P04PDG-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP100P04PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 3.5 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −50 A) RDS(on)2 = 5.1 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −50 A) • High current rating: ID

文件:190.95 Kbytes 页数:7 Pages

NEC

瑞萨

NP100P04PDG-E1-AYNote

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

文件:300.3 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

NP100P06PDG

TO-252

NP1216DR

DFN2*2-6

南麟

NP2300MR-Y-G

SOT23-3

NATLINEAR/南麟

上传:深圳广友电子有限公司

NATLINEAR/南麟

详细参数

  • 型号:

    NP100P04PDG-E1-AY

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -40V MP-25ZP/TO-263

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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