NP100N04MDH资料datasheet下载行情报价第4页-114ic电子网

首页 >NP10>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
NP100N055PUK-E2-AY	文件：268.66 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.25mMAX.(VGS=10V,ID=50A) LowCiss:Ciss=4900pFTYP.(VDS=25V) DesignedforautomotiveapplicationandAEC-Q101qualified	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100P04PDG	文件：190.95 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P04PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=3.5mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=5.1mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP100P04PDG-E1-AY	文件：190.95 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P04PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=3.5mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=5.1mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP100P04PDG-E2-AY	文件：190.95 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P04PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=3.5mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=5.1mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP100P04PLG	文件：191.11 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P04PLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=3.7mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=5.1mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID(D	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP100P04PLG-E1-AY	文件：191.11 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P04PLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=3.7mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=5.1mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID(D	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP100P04PLG-E2-AY	文件：191.11 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P04PLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=3.7mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=5.1mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID(D	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP100P06PDG	文件：191.09 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P06PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.0mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=7.8mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID(	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP100P06PDG	文件：1.35852 Mbytes Page：8 Pages	-60V – -100A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=6.0mMax.(VGS=-10V,ID=-50A) RDS(on)=7.8mMax.(VGS=-4.5V,ID=-50A) Lowinputcapacitance:Ciss=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100P06PDG-E1-AY	文件：191.09 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P06PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.0mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=7.8mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID(	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

<<<1 2 345 6 7 8 9 >>>

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	NP100N04MDH-S18	NCE/新洁能	23+	TO-220	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
京海半导体(深圳)有限公司	NP100N04MDH-S18	VB	21+	T0-220	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	NP100N04MDH-S18	NEC	22+	TO-220	6000	十年配单,只做原装	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NP100N04MDH-S18	NEC	23+	TO-220	32687	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	NP100N04MDH-S18	NEC	23+	TO-220	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	NP100N04MDH-S18	NEC	22+	TO-220	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	NP100N04MDH-S18	R	25+	T0-TO-220	37650	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市晨豪科技有限公司	NP100N04NUJ	RENESAS/瑞萨	23+	TO-262	89630	当天发货全新原装现货	询价
深圳市星辰微电科技有限公司	NP100N04NUJ	RENESAS/瑞萨	22+	TO-262	12500	瑞萨全系列在售,终端可出样品	询价
深圳市芯皇电子有限公司	NP100N04NUJ	RENESAS/瑞萨	22+	TO-262	9000	专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优	询价

更多NP10供应商更新时间2025-7-24 11:01:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号