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NGTD5R65F2中文资料整流器 650V 20A FS2 裸片数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NGTD5R65F2

参数属性

NGTD5R65F2 封装/外壳为模具;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 650V DIE

功能描述

整流器 650V 20A FS2 裸片
DIODE GEN PURP 650V DIE

封装外壳

模具

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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NGTD5R65F2规格书详情

描述 Description

Rectifier bare die intended for use as IGBT reverse diode

特性 Features

• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
• TJmax = 175°C
• Optimized for High Speed Switching
• These are Pb−Free Devices

应用 Application

• Solar Inverter
• Uninterruptible Power Inverter Supplies (UPS)
• Welding

简介

NGTD5R65F2属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的NGTD5R65F2二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NGTD5R65F2

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :650

  • IC Max (A)

    :-

  • VCE(sat) Typ (V)

    :-

  • VF Typ (V)

    :1.1

  • Eoff Typ (mJ)

    :-

  • Eon Typ (mJ)

    :-

  • Trr Typ (ns)

    :-

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :-

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :-

  • Co-Packaged Diode

    :-

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