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NGTD5R65F2

Fast Switching Rectifier Die

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ONSEMI

安森美半导体

NGTD5R65F2

整流器 650V 20A FS2 裸片

Rectifier bare die intended for use as IGBT reverse diode • Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology\n• TJmax = 175°C\n• Optimized for High Speed Switching\n• These are Pb−Free Devices;

ONSEMI

安森美半导体

NGTD5R65F2SWK

Fast Switching Rectifier Die

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ONSEMI

安森美半导体

NGTD5R65F2WP

Fast Switching Rectifier Die

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ONSEMI

安森美半导体

NGTD5R65F2SWK

Package:模具;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 650V DIE

ONSEMI

安森美半导体

NGTD5R65F2WP

Package:模具;包装:带盒(TB) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 650V DIE

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • V(BR)CES Typ (V):

    650

  • VF Typ (V):

    1.1

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
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更多NGTD5R65F2供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00