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NGTB40N120FL数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

NGTB40N120FL

参数属性

NGTB40N120FL 封装/外壳为TO-247-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247

功能描述

IGBT 1200 V 40 A FS1 太阳能/UPS
IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247

封装外壳

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 21:09:00

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NGTB40N120FL规格书详情

描述 Description

此款绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的沟槽结构,在要求较高的开关应用中提供卓越的性能,还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。此款 IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。此器件集成了一个柔软、快速的组合封装续流二极管,采用低正向电压。

特性 Features

• Low Saturation Voltage using Trench with Field Stop Technology
• Low Switching Loss
• 10µs Short Circuit Capability
• Soft, Fast Free Wheeling Diode

应用 Application

• Power Conversion

简介

NGTB40N120FL属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGTB40N120FL晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    NGTB40N120FL2WG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    3.4mJ(开),1.1mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    116ns/286ns

  • 测试条件:

    600V,40A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247

  • 描述:

    IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247

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