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NGTB40N120FL数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
NGTB40N120FL |
参数属性 | NGTB40N120FL 封装/外壳为TO-247-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247 |
功能描述 | IGBT 1200 V 40 A FS1 太阳能/UPS |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 21:09:00 |
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NGTB40N120FL规格书详情
描述 Description
此款绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的沟槽结构,在要求较高的开关应用中提供卓越的性能,还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。此款 IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。此器件集成了一个柔软、快速的组合封装续流二极管,采用低正向电压。
特性 Features
• Low Saturation Voltage using Trench with Field Stop Technology
• Low Switching Loss
• 10µs Short Circuit Capability
• Soft, Fast Free Wheeling Diode
应用 Application
• Power Conversion
简介
NGTB40N120FL属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGTB40N120FL晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
NGTB40N120FL2WG
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
散装
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,40A
- 开关能量:
3.4mJ(开),1.1mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
116ns/286ns
- 测试条件:
600V,40A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247
- 描述:
IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2016+ |
TO-247 |
3900 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
1216+ |
TO-247 |
60 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
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ON/安森美 |
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ON/安森美 |
23+ |
NA |
25630 |
原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
1926+ |
IGBT |
585 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-247 |
30000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-247 |
25000 |
原盒原包一片起送 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-247 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 |