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NESG2107M33	文件：244.19 Kbytes Page：11 Pages	NPNSILICONGERMANIUMRFTRANSISTOR NPNSiGeRFTRANSISTORFOR HIGHFREQUENCY,LOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION 3-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD(M33,0804PKG) FEATURES •ThedeviceisanidealchoiceforOSC,lownoise,high-gainamplification •SiGetechnologyadopted •3-pinsuperlead-lessminimold(M33,0804PKG)packa	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG2107M33	文件：213.31 Kbytes Page：8 Pages	NPNSILICONSiGeRFTWINTRANSISTOR NPNSILICON+SiGeRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD(1007PKG) FEATURES •2differentbuilt-intransistors(2SC5436,NESG2107M33) Q1:Highgaintransistor fT=12GHzTYP.,S21e2=9.0dBTYP.@VCE=1V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Built-inlo	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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更多NESG2107M33(A)供应商更新时间2025-7-29 14:26:00

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