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NESG2107M33分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

NESG2107M33
厂商型号

NESG2107M33

参数属性

NESG2107M33 封装/外壳为3-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD

功能描述

NECs NPN SILICON TRANSISTOR
RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD

封装外壳

3-SMD,扁平引线

文件大小

302.97 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 California Eastern Labs
企业简称

CEL

中文名称

California Eastern Labs官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-4 23:00:00

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NESG2107M33规格书详情

NESG2107M33属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由California Eastern Labs制造生产的NESG2107M33晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NESG2107M33-T3-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    5V

  • 频率 - 跃迁:

    10GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz

  • 增益:

    7dB ~ 10dB

  • 功率 - 最大值:

    130mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    140 @ 5mA,1V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    3 针 SuperMiniMold(M33)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
NA/
4350
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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RENESAS
24+
SOT-23
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只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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NEC
2007
M33
1400
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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RENESAS/瑞萨
25+
SOT-23
880000
明嘉莱只做原装正品现货
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RENESAS
23+
SOT-23
63000
原装正品现货
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NEC
22+
M33
3000
原装正品,支持实单
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NEC
06+
SOT23
30000
旗舰店
询价
NEC
21+
SOT723
10000
原装现货假一罚十
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NEC
23+
SOT23
32500
原厂原装正品
询价
RENESAS/瑞萨
23+
SOT-23
27000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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