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NE8500100-RG	文件：41.14 Kbytes Page：6 Pages	1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION The NE8500199 Power GaAs FET covers 2 GHz to 10 GHz frequency range for commercial amplifier, oscillator applications and so on. NE8500100 is the two-cells recessed gate chip used in ‘99’ package. The device incorporates Ti-Al gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the the 文件：41.14 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE8500100-RG	文件：199.3 Kbytes Page：8 Pages	GaAs MES FET 1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET 文件：199.3 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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NE85002	文件：207.14 Kbytes Page：10 Pages	GaAs MES FET DESCRIPTION The NE8500295 power GaAs FET covers 3.5 to 8.5 GHz frequency range with three different Class A, 2.0 W partially matched devices. Each packaged device has an input lumped element matching network. NE8500200 is the six-cells recessed gate chip used in ‘95’ package. The device incorp 文件：207.14 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE85002	文件：48.93 Kbytes Page：8 Pages	2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION The NE8500295 power GaAs FET covers 3.5 to 8.5 GHz frequency range with three different Class A, 2.0 W partially matched devices. Each packaged device has an input lumped element matching network. NE8500200 is the six-cells recessed gate chip used in ‘95’ package. The device incorpo 文件：48.93 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
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产品属性

产品编号：
NE8
制造商：
Essentra Components
类别：
电缆，电线 - 管理 > 电缆支撑与紧固件
系列：
Richco
包装：
盒
类型：
线夹，P 型
开口尺寸：
0.500"（12.70mm）
安装类型：
紧固件
材料：
铝
颜色：
黑色，银色
宽度：
0.375"（9.53mm）
面板孔尺寸：
0.204"（5.18mm）
材料厚度：
0.031"（0.80mm）
特性：
保护涂层
描述：
CBL CLAMP P-TYPE FASTENER

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