NE5550779A资料datasheet下载批发供应瑞萨-114ic电子网

首页 >NE5550779A>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
NE5550779A	文件：3.20669 Mbytes Page：17 Pages	Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 38.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22.0 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 140 mA, f 文件：3.20669 Mbytes 页数：17 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5550779A	文件：3.56692 Mbytes Page：16 Pages	Silicon Power LDMOS FET 文件：3.56692 Mbytes 页数：16 Pages	CEL	CEL
NE5550779A-A	文件：3.20669 Mbytes Page：17 Pages	Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 38.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22.0 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 140 mA, f 文件：3.20669 Mbytes 页数：17 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5550779A-T1	文件：3.20669 Mbytes Page：17 Pages	Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 38.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22.0 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 140 mA, f 文件：3.20669 Mbytes 页数：17 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5550779A-T1A	文件：3.20669 Mbytes Page：17 Pages	Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 38.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22.0 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 140 mA, f 文件：3.20669 Mbytes 页数：17 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5550779A-T1-A	文件：3.20669 Mbytes Page：17 Pages	Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 38.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22.0 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 140 mA, f 文件：3.20669 Mbytes 页数：17 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5550779A-T1A-A	文件：3.20669 Mbytes Page：17 Pages	Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 38.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22.0 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 140 mA, f 文件：3.20669 Mbytes 页数：17 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5550779A-A	文件：3.56692 Mbytes Page：16 Pages	Silicon Power LDMOS FET 文件：3.56692 Mbytes 页数：16 Pages	CEL	CEL
NE5550779A-T1	文件：3.56692 Mbytes Page：16 Pages	Silicon Power LDMOS FET 文件：3.56692 Mbytes 页数：16 Pages	CEL	CEL
NE5550779A-T1A	文件：3.56692 Mbytes Page：16 Pages	Silicon Power LDMOS FET 文件：3.56692 Mbytes 页数：16 Pages	CEL	CEL

详细参数

型号：
NE5550779A
制造商：
California Eastern Laboratories(CEL)
功能描述：
SILICON POWER LDMOS FET ROHS COMPLIANT - Product that comes on tape, but is not reeled
功能描述：
IC FET LDMOS 30V 0.6A 79A-PKG

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科雨电子有限公司	NE5550779A-EV09-A	CEL	25+	射频元件	3000	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	NE5550779AT1A	CEL	22+	79A	9000	原厂渠道,现货配单	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NE5550779A-T1A-A	RENESAS/瑞萨	23+		26261	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	NE5550779A-A	CEL	2022+	79A	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	NE5550779A-T1A-A	RENESAS(瑞萨)/IDT	20+	-	5000		询价
深圳市英博尔电子有限公司	NE5550779A-T1A-A	Renesas	2年内	N/A	16000	英博尔原装优质现货订货渠道商	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	NE5550779A-T1A-A		24+	N/A	52000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市博中泰实业有限公司	NE5550979A	RENESAS/瑞萨	24+	79A	60000	全新原装现货	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	NE5550979A-T1-A	RENESAS		NA	6784	正品原装--自家现货-实单可谈	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	NE5550979A-T1-A	RENESAS	24+	NA	30617	一级代理全新原装热卖	询价

更多NE5550779A供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号