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NE5550779A-T1-A	文件：3.20669 Mbytes Page：17 Pages	Silicon Power LDMOS FET FEATURES •HighOutputPower:Pout=38.5dBmTYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f=460MHz,Pin=25dBm) •Highpoweraddedefficiency:ηadd=66TYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f=460MHz,Pin=25dBm) •HighLineargain:GL=22.0dBTYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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NE5550779A-T1-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：4-SMD，扁平引线类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG	CEL California Eastern Laboratories
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产品属性

产品编号：
NE5550779A-T1-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
LDMOS
频率：
900MHz
增益：
22dB
额定电流（安培）：
2.1A
功率 - 输出：
38.5dBm
封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
供应商器件封装：
79A
描述：
FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG

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