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NE5550779A-T1-A	文件：3.20669 Mbytes Page：17 Pages	Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 38.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22.0 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 140 mA, f 文件：3.20669 Mbytes 页数：17 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5550779A-T1-A	文件：3.56692 Mbytes Page：16 Pages	Silicon Power LDMOS FET 文件：3.56692 Mbytes 页数：16 Pages	CEL	CEL
NE5550779A-T1-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SMD，扁平引线；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG	CEL	CEL
NE5550779A-T1	文件：3.20669 Mbytes Page：17 Pages	Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 38.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22.0 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 140 mA, f 文件：3.20669 Mbytes 页数：17 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多NE5550779A-T1-A供应商更新时间2025-12-22 8:24:00