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NE5550779A-T1-A分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE5550779A-T1-A |
| 参数属性 | NE5550779A-T1-A 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG |
| 功能描述 | Silicon Power LDMOS FET |
| 封装外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 文件大小 |
3.20669 Mbytes |
| 页面数量 |
17 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-28 23:00:00 |
| 人工找货 | NE5550779A-T1-A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE5550779A-T1-A规格书详情
FEATURES
• High Output Power : Pout = 38.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm)
• High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm)
• High Linear gain : GL = 22.0 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 10 dBm)
• High ESD tolerance
• Suitable for VHF to UHF-BAND Class-AB power amplifier.
产品属性
- 产品编号：
NE5550779A-T1-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
900MHz
- 增益：
22dB
- 额定电流（安培）：
2.1A
- 功率 - 输出：
38.5dBm
- 封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
79A
- 描述：
FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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RENESAS |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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5000 |
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Renesas |
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RENESAS |
24+ |
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