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NE5550779A开发板套件编程器的射频评估开发套件开发板规格书PDF中文资料

NE5550779A
厂商型号

NE5550779A

参数属性

NE5550779A 包装为盒;类别为开发板套件编程器的射频评估开发套件开发板;产品描述:BOARD EVAL NPN MED PWR TRANS

功能描述

Silicon Power LDMOS FET

文件大小

3.20669 Mbytes

页面数量

17

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 14:09:00

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NE5550779A规格书详情

FEATURES

• High Output Power : Pout = 38.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm)

• High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm)

• High Linear gain : GL = 22.0 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 10 dBm)

• High ESD tolerance

• Suitable for VHF to UHF-BAND Class-AB power amplifier.

产品属性

  • 产品编号:

    NE5550779A-EV04-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    开发板,套件,编程器 > 射频评估和开发套件,开发板

  • 包装:

  • 类型:

    FET

  • 频率:

    460MHz

  • 配套使用/相关产品:

    NE5550779A

  • 所含物品:

  • 描述:

    BOARD EVAL NPN MED PWR TRANS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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