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NE5550279A-T1分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

NE5550279A-T1

参数属性

NE5550279A-T1 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 30V 900MHZ 79A

功能描述

Silicon Power LDMOS FET

封装外壳

4-SMD,扁平引线

文件大小

470.92 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

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更新时间

2025-10-4 12:00:00

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NE5550279A-T1规格书详情

FEATURES

• High Output Power : Pout = 33.0 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 15 dBm)

• High power added efficiency : ηadd = 68 TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 15 dBm)

• High Linear gain : GL = 22.5 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 0 dBm)

• High ESD tolerance

• Suitable for VHF to UHF-BAND Class-AB power amplifier.

APPLICATIONS

• 150 MHz Band Radio System

• 460 MHz Band Radio System

• 900 MHz Band Radio System

产品属性

  • 产品编号:

    NE5550279A-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    900MHz

  • 增益:

    22.5dB

  • 额定电流(安培):

    600mA

  • 功率 - 输出:

    33dBm

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    79A

  • 描述:

    FET RF 30V 900MHZ 79A

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
24+
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5000
全新原装正品,现货销售
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