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NE5550279A-T1	文件：470.92 Kbytes Page：9 Pages	Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 33.0 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 15 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 68 TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 15 dBm) • High Linear gain : GL = 22.5 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin 文件：470.92 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5550279A-T1	文件：772.41 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Power LDMOS FET 文件：772.41 Kbytes 页数：8 Pages	CEL	CEL
NE5550279A-T1A	文件：470.92 Kbytes Page：9 Pages	Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 33.0 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 15 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 68 TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 15 dBm) • High Linear gain : GL = 22.5 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin 文件：470.92 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5550279A-T1A	文件：772.41 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Power LDMOS FET 文件：772.41 Kbytes 页数：8 Pages	CEL	CEL
NE5550279A-T1-A	文件：772.41 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Power LDMOS FET 文件：772.41 Kbytes 页数：8 Pages	CEL	CEL
NE5550279A-T1A-A	文件：772.41 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Power LDMOS FET 文件：772.41 Kbytes 页数：8 Pages	CEL	CEL
NE5550279A-T1-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SMD，扁平引线；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 30V 900MHZ 79A	CEL	CEL

详细参数

型号：
NE5550279A-T1
制造商：
California Eastern Laboratories(CEL)
功能描述：
SILICON P-CHANNEL LOW NOISE MOS ROHS COMPLIANT - Tape and Reel
功能描述：
IC FET LDMOS 30V 0.6A 79A-PKG

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