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NE5550779A-A分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE5550779A-A |
| 参数属性 | NE5550779A-A 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 30V 900MHZ 79A |
| 功能描述 | Silicon Power LDMOS FET |
| 封装外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 文件大小 |
3.56692 Mbytes |
| 页面数量 |
16 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Labs |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Labs官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-28 20:00:00 |
| 人工找货 | NE5550779A-A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE5550779A-A规格书详情
NE5550779A-A属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE5550779A-A晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
NE5550779A-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
900MHz
- 增益：
22dB
- 额定电流（安培）：
2.1A
- 功率 - 输出：
38.5dBm
- 封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
79A
- 描述：
FET RF 30V 900MHZ 79A
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
4095 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
RENESAS |
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CAN |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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5000 |
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Renesas |
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RENESAS |
24+ |
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RENESAS/瑞萨 |
24+ |
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RENESAS |
24+ |
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