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NE52418-A

Package:SC-82A,SOT-343;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 5V 4-SMINI MOLD

CEL

NE52418

GaAs HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

L to S BAND LOW NOISE AND HIGH GAIN AMPLIFIER NPN GaAs HBT DESCRIPTION The NE52418 is an NPN GaAs HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) developed for L to S band mobile communication equipment. FEATURES • Ideal for low noise and high gain amplifiers NF = 0.95 dB TYP., Ga = 17 dB TYP. (@

文件:231.33 Kbytes 页数:14 Pages

RENESAS

瑞萨

NE52418

NECs L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT

文件:196 Kbytes 页数:6 Pages

CEL

NE5500234-T1-AZ

SOT89

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

NE5532

SOP/DIP

产品属性

  • 产品编号:

    NE52418-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    5V

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1dB ~ 1.5dB @ 2GHz

  • 增益:

    14dB ~ 16dB

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 3mA,2V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    40mA

  • 工作温度:

    125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 供应商器件封装:

    SOT-343

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5V 4-SMINI MOLD

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NE52418-A供应商 更新时间2025-12-20 14:26:00