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NE552R479A-T1-A

3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 2.45 GHz 0.4 W TRANSMISSION AMPLIFIERS

CEL

California Eastern Laboratories

NE552R479A-T1

3.0VOPERATIONSILICONRFPOWERLDMOSFETFOR2.45GHz0.4WTRANSMISSIONAMPLIFIERS

CEL

California Eastern Laboratories

NE552R479A-T1

SILICONPOWERMOSFET

3.0VOPERATIONSILICONRFPOWERLDMOSFET FOR2.45GHz0.4WTRANSMISSIONAMPLIFIERS

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NE552R479A-T1A

SILICONPOWERMOSFET

3.0VOPERATIONSILICONRFPOWERLDMOSFET FOR2.45GHz0.4WTRANSMISSIONAMPLIFIERS

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NE552R479A-T1A

3.0VOPERATIONSILICONRFPOWERLDMOSFETFOR2.45GHz0.4WTRANSMISSIONAMPLIFIERS

CEL

California Eastern Laboratories

详细参数

  • 型号:

    NE552R479A-T1-A

  • 功能描述:

    射频GaAs晶体管 L&S Band Med Power

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型:

    pHEMT

  • 频率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪声系数:

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压:

    - 8 V

  • 漏极连续电流:

    3 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

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更多NE552R479A-T1-A供应商 更新时间2024-4-30 13:54:00