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NE3515S02-T1D	文件：225.18 Kbytes Page：12 Pages	X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE3515S02-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SMD，扁平引线；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02	CEL California Eastern Labs	CEL
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NE3515S02-T1D-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02	CEL California Eastern Labs	CEL

详细参数

型号：
NE3515S02
功能描述：
射频GaAs晶体管 X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMP N-CH
RoHS：
否
制造商：
TriQuint Semiconductor
技术类型：
pHEMT
频率：
500 MHz to 3 GHz
增益：
10 dB
噪声系数：
正向跨导
gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
闸/源击穿电压：
- 8 V
漏极连续电流：
3 A
最大工作温度：
+ 150 C
功率耗散：
10 W

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市达恩科技有限公司	NE3515S02-T1C-A	RENESAS	24+	NA	2000	进口原装正品优势供应	询价
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更多NE3515S02供应商更新时间2025-7-27 14:16:00

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