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NCV8440A	文件：173.41 Kbytes Page：9 Pages	Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection Features • Diode Clamp Between Gate and Source • ESD Protection − Human Body Model 5000 V • Active Over−Voltage Gate to Drain Clamp • Scalable to Lower or Higher RDS(on) • Internal Series Gate Resistance • These are Pb−Free Devices Benefits • High Energy Capability for Inductive Loads • L 文件：173.41 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV8440A	文件：89.91 Kbytes Page：9 Pages	Protected Power MOSFET 文件：89.91 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV8440ASTT1G	文件：173.41 Kbytes Page：9 Pages	Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection Features • Diode Clamp Between Gate and Source • ESD Protection − Human Body Model 5000 V • Active Over−Voltage Gate to Drain Clamp • Scalable to Lower or Higher RDS(on) • Internal Series Gate Resistance • These are Pb−Free Devices Benefits • High Energy Capability for Inductive Loads • L 文件：173.41 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV8440ASTT3G	文件：173.41 Kbytes Page：9 Pages	Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection Features • Diode Clamp Between Gate and Source • ESD Protection − Human Body Model 5000 V • Active Over−Voltage Gate to Drain Clamp • Scalable to Lower or Higher RDS(on) • Internal Series Gate Resistance • These are Pb−Free Devices Benefits • High Energy Capability for Inductive Loads • L 文件：173.41 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV8440ACWP	文件：62.15 Kbytes Page：2 Pages	Protected Power MOSFET 文件：62.15 Kbytes 页数：2 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV8440ASTT1G	文件：89.91 Kbytes Page：9 Pages	Protected Power MOSFET 文件：89.91 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV8440ASTT1G	文件：126.7 Kbytes Page：9 Pages	Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N?묬hannel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection 文件：126.7 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV8440ASTT3G	文件：89.91 Kbytes Page：9 Pages	Protected Power MOSFET 文件：89.91 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV8440ASTT3G	文件：126.7 Kbytes Page：9 Pages	Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N?묬hannel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection 文件：126.7 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV8440A	文件：300 bytes Page：1 Pages	箝位 MOSFET，N 沟道，带 ESD 保护 NCV8440 is a protected N-Channel power MOSFET device. The protection feature includes integrated Drain-to-Gate clamping for overvoltage protection. • Diode Clamp Between Gate and Source\n• High Energy Capability for Inductive Loads\n• ESD ProtectionHBM 5000 V\n• Low Switching Noise Generation\n• Active Overvoltage Gate to Drain Clamp\n• Scalable to Lower or Higher RDS(on)\n• Internal Series Gate Resistance;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
V(BR)DSS Min (V)：
52
ID Typ (A)：
2.6
rDS(on) Max (mΩ)：
95
PD Max (W)：
1.69
Package Type：
SOT-223-4/TO-261-4D

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更多NCV8440A供应商更新时间2025-10-11 14:20:00

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