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NCV8440ASTT1G

Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection

Features • Diode Clamp Between Gate and Source • ESD Protection − Human Body Model 5000 V • Active Over−Voltage Gate to Drain Clamp • Scalable to Lower or Higher RDS(on) • Internal Series Gate Resistance • These are Pb−Free Devices Benefits • High Energy Capability for Inductive Loads • L

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ONSEMI

安森美半导体

NCV8440ASTT1G

Protected Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NCV8440ASTT1G

Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N?묬hannel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection

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ONSEMI

安森美半导体

NCV8440ASTT1G

SOT-223

ON/安森美

上传:深圳德田科技有限公司

ON/安森美

NCV8450ASTT3G

SOT223

ON

详细参数

  • 型号:

    NCV8440ASTT1G

  • 功能描述:

    MOSFET 2.6A, 52V N-CH, CLAM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ONSEMI/安森美
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SOT223
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更多NCV8440ASTT1G供应商 更新时间2026-2-3 19:30:00