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NCV8440ASTT3G	文件：173.41 Kbytes Page：9 Pages	Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection Features • Diode Clamp Between Gate and Source • ESD Protection − Human Body Model 5000 V • Active Over−Voltage Gate to Drain Clamp • Scalable to Lower or Higher RDS(on) • Internal Series Gate Resistance • These are Pb−Free Devices Benefits • High Energy Capability for Inductive Loads • L 文件：173.41 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV8440ASTT3G	文件：89.91 Kbytes Page：9 Pages	Protected Power MOSFET 文件：89.91 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV8440ASTT3G	文件：126.7 Kbytes Page：9 Pages	Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N?묬hannel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection 文件：126.7 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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详细参数

型号：
NCV8440ASTT3G
功能描述：
MOSFET N-CH 2.6A 52V SOT-223-4
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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