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NCV57001FDWR2G	文件：547.93 Kbytes Page：19 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver NCV57001F is a variant of NCV57001 with reduced Soft−Turn−Off time suited to drive large IGBTs or power modules. NCV57001F is a high−current single channel IGBT driver with internal galvanic isolation, designed for high system efficiency and reliability in high power applications. Its features 文件：547.93 Kbytes 页数：19 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV57000	文件：230.92 Kbytes Page：14 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：230.92 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV57000D	文件：230.92 Kbytes Page：14 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：230.92 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NCV57001	文件：229.86 Kbytes Page：14 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：229.86 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV57001D	文件：229.86 Kbytes Page：14 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：229.86 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV57001DWR2G	文件：229.86 Kbytes Page：14 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：229.86 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV57001F	文件：286.97 Kbytes Page：11 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：286.97 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV57001FDWR2G	文件：286.97 Kbytes Page：11 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：286.97 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV5700DR2G	文件：329.54 Kbytes Page：18 Pages	High Current IGBT Gate Driver 文件：329.54 Kbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Number of Outputs：
1
Vin Max (V)：
5.5
VCC Max (V)：
35
Drive Source/Sink Typ (mA)：
4000/6100
Rise Time (ns)：
9.2
Fall Time (ns)：
7.9
tp Max (ns)：
75
Package Type：
SOIC-16

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