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NCEP080N10A	文件：300 bytes Page：1 Pages	30-120V N-Channel SGT-II MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NTTFS080N10G	文件：203.32 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - Power, Single N-Channel, 8FL 100 V, 72 m, 16 A Features • Wide SOA for Linear Mode Operation • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • High Peak UIS Current Capability for Ruggedness • Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Typical Applications • 文件：203.32 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
G080N10M	文件：1.0175 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G080N10M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.0175 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G080N10T	文件：1.04223 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G080N10T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.04223 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT080N10K	文件：1.06561 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT080N10K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.06561 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-220
Polarity：
N
BVDSS(V)：
100
ID(A)：
55
VTH(V)：
1.7
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
6.8
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
8
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
8.2
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
9.4
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
3650
QG(nC)：
70
PD(W)：
120

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