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NCE6602N	文件：440.26 Kbytes Page：11 Pages	丝印：6602N；Package：SOT23-6L；NCE N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6602N uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features ● N-Channel ● VDS = 30V,ID = 3.5A RDS(ON) 文件：440.26 Kbytes 页数：11 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE6602N	文件：1.34224 Mbytes Page：10 Pages	丝印：6602N；Package：SOT23-6L；N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.34224 Mbytes 页数：10 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
NCE6602N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complementary MOSFET The NCE6602N uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application.	NCEPower 新洁能	NCEPower
PT6602	文件：242.23 Kbytes Page：5 Pages	9 AMP ADJUSTABLE INTEGRATED SWITCHING REGULATOR 文件：242.23 Kbytes 页数：5 Pages	TI 德州仪器	TI
TPC6602	文件：134.27 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE 文件：134.27 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
UM6602	文件：221.09 Kbytes Page：4 Pages	PIN DIODE DESCRIPTION These series of PIN diodes are designed for applications requiring small package size and moderate average power handling capability. The low capacitance of the UM6000 and UM6600 allows them to be used as series switching elements to 1 GHz. The low resistance of the UM6200 is useful 文件：221.09 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

技术参数

Product status：
Production
Package：
SOT-23-6L
Polarity：
N+P
BVDSS(V)：
-30/30
ID(A)：
-2.7/3.5
VTH(V)：
-1.6/1.5
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
69/36
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
100/58
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
110/60
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
150/95
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
278/251
QG(nC)：
5.8/10
PD(W)：
1.2/1.2

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