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NCE6602N数据手册NCEPower中文资料规格书

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厂商型号

NCE6602N

功能描述

Complementary MOSFET

制造商

NCEPower Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

中文名称

无锡新洁能股份 无锡新洁能股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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NCE6602N规格书详情

描述 Description

The NCE6602N uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application.

技术参数

  • 制造商编号

    :NCE6602N

  • 生产厂家

    :NCEPower

  • Product status

    :Production

  • Package

    :SOT-23-6L

  • Polarity

    :N+P

  • BVDSS(V)

    :-30/30

  • ID(A)

    :-2.7/3.5

  • VTH(V)

    :-1.6/1.5

  • RDS(ON)@10VTyp(mΩ)

    :69/36

  • RDS(ON)@10VMax(mΩ)

    :100/58

  • RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)

    :110/60

  • RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)

    :150/95

  • VGS(th)(V)

    :±20

  • CISS(pF)

    :278/251

  • QG(nC)

    :5.8/10

  • PD(W)

    :1.2/1.2

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