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NCE30H10

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:352.01 Kbytes 页数:8 Pages

NCEPOWER

新洁能

NCE30H10

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:960.21 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NCE30H10G

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.12063 Mbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NCE30H10G

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:338.86 Kbytes 页数:7 Pages

NCEPOWER

新洁能

NCE30H10K

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.00246 Mbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NCE30H10K

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:396.72 Kbytes 页数:7 Pages

NCEPOWER

新洁能

NCE30H11G

丝印:NCE30H11G;Package:DFN5X6-8L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:377.15 Kbytes 页数:7 Pages

NCEPOWER

新洁能

NCE30H12

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:359.29 Kbytes 页数:7 Pages

NCEPOWER

新洁能

NCE30H12K

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:460.8 Kbytes 页数:7 Pages

NCEPOWER

新洁能

NCE30H12K

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.00174 Mbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • Technology:

    Trench

  • Product status:

    New

  • Package:

    SOP-8

  • Polarity:

    P

  • BVDSS_(V):

    -30

  • ID_(A):

    -7

  • VTH_(V):

    -1.6

  • RDS(ON)_@10VTyp_(mΩ):

    27

  • RDS(ON)_@10VMax_(mΩ):

    31

  • VGS(th)_(V):

    ±20

  • CISS_(pF):

    625

  • QG_(nC):

    13.9

  • PD_(W):

    2.5

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
量大可定NEEPOWE
24+
SOT23
5000
全现原装公司现货
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NCE
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SOP8
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原盘环保/2500
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SOT-23
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NCE
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SOT-23
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20+
SOT23
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SOT23-3
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24+
SOT23
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更多NCE3供应商 更新时间2026-10-23 10:20:00