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NCE2301F	文件：266.56 Kbytes Page：7 Pages	丝印：2301FX；Package：SOT-23；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2301F uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features ● VDS = -20V,ID = -2 A RDS(ON) 文件：266.56 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE2301F	文件：465.3 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters 文件：465.3 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE2301A	文件：342.22 Kbytes Page：7 Pages	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：342.22 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE2301B	文件：330.65 Kbytes Page：7 Pages	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：330.65 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE2301C	文件：328.84 Kbytes Page：7 Pages	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：328.84 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE2301D	文件：287.58 Kbytes Page：7 Pages	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：287.58 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE2301E	文件：336.71 Kbytes Page：7 Pages	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：336.71 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE2301AD	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道 MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE2301AF	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道 MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower

技术参数

Product status：
Production
Package：
SOT-23
Polarity：
P
BVDSS(V)：
-20
ID(A)：
-3
VTH(V)：
-0.7
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
46
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
70
RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)：
63
RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)：
80
VGS(th)(V)：
±12
CISS(pF)：
405
QG(nC)：
3.3
PD(W)：
1

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