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NCD5705BDR2G

High Current IGBT Gate Drivers

The NCV/NCD5705B is a high−current, high−performance stand−alone IGBT driver for high power automotive applications that include PTC heaters, traction inverters, high voltage DC−DC and other auxiliary subsystems. The device offers a cost−effective solution by eliminating external output buffer

文件:668.48 Kbytes 页数:15 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCD5705BDR2G

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:GATE DRIVER WITH LOW UVLO THRESH

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NCV5705BDR2G

High Current IGBT Gate Drivers

The NCV/NCD5705B is a high−current, high−performance stand−alone IGBT driver for high power automotive applications that include PTC heaters, traction inverters, high voltage DC−DC and other auxiliary subsystems. The device offers a cost−effective solution by eliminating external output buffer

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ONSEMI

安森美半导体

NCD57090ADWR2G

ON
SOP8

ON

NCE0102

NCE新洁能
SOT23

NCE新洁能

产品属性

  • 产品编号:

    NCD5705BDR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    单路

  • 栅极类型:

    IGBT

  • 电压 - 供电:

    20V(最大)

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0,5V,4,5V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    4A,6A

  • 输入类型:

    反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    9.2ns,7.9ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    GATE DRIVER WITH LOW UVLO THRESH

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更多NCD5705BDR2G供应商 更新时间2025-10-5 10:01:00