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NCD5703CDR2G	文件：451.16 Kbytes Page：20 Pages	High Current IGBT Gate Drivers 文件：451.16 Kbytes 页数：20 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD5703CDR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV5703CDR2G	文件：672.83 Kbytes Page：20 Pages	High Current IGBT Gate Drivers 文件：672.83 Kbytes 页数：20 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NCE0102	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	NCE/新洁能上传：深圳市浩翊科技有限公司	NCE/新洁能

产品属性

产品编号：
NCD5703CDR2G
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT
电压 - 供电：
20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.75V，4.3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
7.8A，6.8A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
9.2ns，7.9ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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