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NCD57000	文件：230.86 Kbytes Page：14 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：230.86 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD57000D	文件：230.86 Kbytes Page：14 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：230.86 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD57000DWR2G	文件：230.86 Kbytes Page：14 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：230.86 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD57001	文件：230.22 Kbytes Page：14 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：230.22 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD57001D	文件：230.22 Kbytes Page：14 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：230.22 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD57001DWR2G	文件：230.22 Kbytes Page：14 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：230.22 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD57001F	文件：286.34 Kbytes Page：11 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：286.34 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD57001FDWR2G	文件：286.34 Kbytes Page：11 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：286.34 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD5700DR2G	文件：333.58 Kbytes Page：18 Pages	High Current IGBT Gate Driver 文件：333.58 Kbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD5700DR2G	文件：456.62 Kbytes Page：18 Pages	High Current IGBT Gate Driver 文件：456.62 Kbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Power Switch：
IGBT
Number of Outputs：
1
Topology：
Single
Isolation Type：
Non-Isolated
Vin Max (V)：
5.5
VCC Max (V)：
35
Drive Source/Sink Typ (mA)：
5000/5000
Rise Time (ns)：
30
Fall Time (ns)：
30
tp Max (ns)：
70
Package Type：
SOIC-16

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市纳立科技有限公司	NCD5703CDR2G		三年内		1983	只做原装正品	询价
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更多NCD5供应商更新时间2025-11-24 16:46:00

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