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NAND04GR3B2DN6E	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP;	MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
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技术参数

存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NAND
存储容量：
4Gb （512M x 8）
写周期时间 - 字，页：
25ns
访问时间：
25ns
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724\，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
48-TSOP

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更多NAND04GR3B2D供应商更新时间2025-7-27 10:02:00

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