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NAND04GR3B2DN6E	文件：1.70593 Mbytes Page：69 Pages	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories	NUMONYX numonyx	NUMONYX
NAND04GR3B2DN6E	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP;	MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
NAND04GR3B2DN6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司	ELPIDA
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产品属性

产品编号：
NAND04GR3B2DN6E
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存 - NAND
存储容量：
4Gb（512M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
48-TSOP
描述：
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP

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