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NAND04GR3B2DN6E中文资料IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP数据手册Micron规格书
| 厂商型号 |
NAND04GR3B2DN6E |
| 参数属性 | NAND04GR3B2DN6E 封装/外壳为48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP |
| 功能描述 | IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP |
| 封装外壳 | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 制造商 | Micron Micron Technology |
| 中文名称 | 美光 美光科技有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-25 23:00:00 |
| 人工找货 | NAND04GR3B2DN6E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
技术参数
- 制造商编号
：NAND04GR3B2DN6E
- 生产厂家
：Micron
- 存储器格式
：闪存
- 技术
：FLASH - NAND
- 存储容量
：4Gb （512M x 8）
- 写周期时间 - 字，页
：25ns
- 访问时间
：25ns
- 存储器接口
：并联
- 电压 - 电源
：1.7V ~ 1.95V
- 工作温度
：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：48-TFSOP（0.724\，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装
：48-TSOP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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