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NAND02GW3B2DZA6E

2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories

NUMONYXNUMONYX

恒忆

NAND02GW3B2DZA6E

包装:管件 封装/外壳:63-TFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

NAND02GW3B2DZA6F

2-Gbit,2112-byte/1056-wordpagemultiplanearchitecture,1.8Vor3V,NANDflashmemories

NUMONYXNUMONYX

恒忆

产品属性

  • 产品编号:

    NAND02GW3B2DZA6E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    闪存 - NAND

  • 存储容量:

    2Gb(256M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    25ns

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    63-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    63-VFBGA(9.5x12)

  • 描述:

    IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA

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更多NAND02GW3B2DZA6E供应商 更新时间2024-4-29 15:48:00