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NAND02GW3B2DZA6E | 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories 文件:1.81088 Mbytes 页数:69 Pages | NUMONYX | NUMONYX | |
NAND02GW3B2DZA6E | IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA | Micron 美光 | Micron | |
NAND02GW3B2DZA6E | Package:63-TFBGA;包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA | ELPIDA 尔必达 | ELPIDA | |
2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories 文件:1.81088 Mbytes 页数:69 Pages | NUMONYX | NUMONYX |
产品属性
- 产品编号:
NAND02GW3B2DZA6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
管件
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
闪存 - NAND
- 存储容量:
2Gb(256M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
25ns
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
63-TFBGA
- 供应商器件封装:
63-VFBGA(9.5x12)
- 描述:
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST/意法 |
25+ |
FBGA |
32360 |
ST/意法全新特价NAND02GW3B2DZA6E即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
Numonyx |
24+ |
BGA |
23963 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
询价 | ||
ST |
23+ |
BGA |
2559 |
原厂原装正品 |
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ST/意法 |
23+ |
BGA |
15000 |
只做进口原装假一罚百 |
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STM |
24+ |
FBGA-60 |
23000 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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STM |
2016+ |
FBGA63 |
9000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
ST |
23+ |
NA |
20 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价,原装元器件供应,支持开发样品 |
询价 | ||
NUMONYX |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
询价 | ||
Numonyx/STMi |
6000 |
面议 |
19 |
63-VFBGA |
询价 | ||
Numonyx/STMi |
23+ |
63-VFBGA |
65480 |
询价 |
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