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NAND02GW3B2DZA6E集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NAND02GW3B2DZA6E |
| 参数属性 | NAND02GW3B2DZA6E 封装/外壳为63-TFBGA；包装为管件；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA |
| 功能描述 | 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories |
| 封装外壳 | 63-TFBGA |
| 文件大小 |
1.81088 Mbytes |
| 页面数量 |
69 页 |
| 生产厂商 | NUMONYX |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-28 23:01:00 |
| 人工找货 | NAND02GW3B2DZA6E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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更多产品属性
- 产品编号：
NAND02GW3B2DZA6E
- 制造商：
Micron Technology Inc.
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
管件
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
闪存
- 技术：
闪存 - NAND
- 存储容量：
2Gb（256M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
25ns
- 电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
63-TFBGA
- 供应商器件封装：
63-VFBGA（9.5x12）
- 描述：
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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