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NAND02GW3B2DZA6E

ST/意法BGA

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只做进口原装假一罚百

深圳市科翼源电子有限公司

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NAND02GW3B2DZA6E

STBGA

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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NAND02GW3B2DZA6E

NAND02GW3B2DZA6E

ST/意法FBGA

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NAND02GW3B2DZA6E

ST/意法NA/

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NAND02GW3B2DZA6E

STMFBGA63

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深圳市纳艾斯科技有限公司

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NAND02GW3B2DZA6E

STMFBGA63

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NAND02GW3B2DZA6E

MICRON

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深圳市宇创芯科技有限公司

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NAND02GW3B2DZA6E

NUMONYXBGA-63

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NAND02GW3B2DZA6E

STMFBGA63

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NAND02GW3B2DZA6E

Numonyx/STMi63-VFBGA

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NAND02GW3B2DZA6E

MICRONBGA

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NAND02GW3B2DZA6E

SST原厂封装

9800

原装进口公司现货假一赔百

深圳市河锋鑫科技有限公司

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NAND02GW3B2DZA6E

Micron63VFBGA (9.5x12)

9000

22+

原厂渠道,现货配单

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NAND02GW3B2DZA6E

STNA

20

ROHS+Original

专业电子元器件供应链/QQ 350053121 /正纳电子

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NAND02GW3B2DZA6E

Micron Technology Inc.144-TFBGA

5280

21+

进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营

深圳市安富世纪电子有限公司

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NAND02GW3B2DZA6E

NumonyxBGA

50000

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全新原装正品现货,支持订货

深圳市盈慧通电子有限公司

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NAND02GW3B2DZA6E

ST(意法)

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NAND02GW3B2DZA6E

NUMONYXBGA

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全新原装正品现货,支持订货

深圳市芯为科技有限公司

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NAND02GW3B2DZA6E

Micron电联咨询

7800

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公司现货,提供拆样技术支持

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NAND02GW3B2DZA6E

Micron63VFBGA (9.5x12)

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NAND02GW3B2DZA6E功能描述:IC FLASH 2GBIT 63VFBGA RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ

产品属性

  • 产品编号：

    NAND02GW3B2DZA6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 类别：

    集成电路（IC） > 存储器

  • 包装：

    管件

  • 存储器类型：

    非易失

  • 存储器格式：

    闪存

  • 技术：

    闪存 - NAND

  • 存储容量：

    2Gb（256M x 8）

  • 存储器接口：

    并联

  • 写周期时间 - 字，页：

    25ns

  • 电压 - 供电：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    63-TFBGA

  • 供应商器件封装：

    63-VFBGA（9.5x12）

  • 描述：

    IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA

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